SK海力士HBM研发速度超越英伟达需求：三星面临挑战，区块链或受影响 SK海力士在HBM内存研发领域取得重大突破，其研发速度现已超过英伟达的要求。这一消息来自SK海力士会长崔泰源在CES期间的透露，他指出公司之前在HBM研发速度上落后于英伟达，但在近期实现了反超。这一突破对SK海力士而言意义重大。作为英伟达HBM内存的独家供应商，SK海力士去年率先供应了第五代8层...
